Saagem tuttavaks: maailma kiireim õhukese kile tehnoloogia põhine orgaaniline transistor
Teadlased on juba mõnda aega üritanud odavate, süsinikuküllaste molekulide ja plastmaterjalide baasil luua selliseid orgaanilisi pooljuhte, mis suudaksid konkureerida praegu valdavate ränipõhiste lahendustega. Nüüd on Nebraska-Lincolni ülikooli ja Stanfordi ülikooli uurijatel õnnestunud valmistada orgaanilisi transistore, mille töökiirus ületab viiekordselt kõigi eelkäijate oma.
Taoline jõudlus saavutati orgaaniliste pooljuhtide tootmise standardsete tehnoloogiate modifitseerimisega. Enamasti paigutatakse lahusesse viidud süsinikuküllased molekulid selleks koos täiendava plastmaterjaliga pöörlevale plaadile, kus seejärel moodustub väga õhuke kile. Nüüdse töö raames pandi plaat pöörlema väga palju kiiremini ning suspensiooniga kaeti vaid tilluke osa selle pinnast.
Tulemuseks oli orgaaniliste molekulide kõrgem kontsentratsioon ja regulaarsem joondumine, mis soodustab elektrilaengute väga palju — koguni viis korda — kiiremat liikumist läbi transistori.
Nn ekstsentriline kederkiletamine (ingl off-center spin coating), mida kirjeldav artikkel ilmus ajakirjas Nature Communications, sillutab tõenäoliselt teed läbipaistvate substraatide põhistele odavatele ja suure jõudlusega elektroonikaseadmetele. Võimalik, et peagi ilmuvad tänu sellele turule inimsilma jaoks läbipaistvad elektroonilised hiidtahvlid.
