Faasisiirdemälukiipides (
phase-change memory, PCM
) talletatakse andmeid sulatades ja jahutades pisikesi kristalle, vahendab Nature News.

Faasisiirdemälu (PCM) idee peale tuli 1968. aastal füüsik ja leiutaja Stanford Ovshinsky. Kontseptsioon ise on lihtne: aatomid, mis paiknevad korrastataud kujul kristallides juhivad elektrone paremini kui nood, mis asuvad segipaisatud kujul klaasis. Kasutades kristalset kuju kui binaarkoodi “1” ja klaasi kui “0”, on võimalik kristalses rakus infot talletada. Ovshinsky pakkus välja teooria, et suure hulga taoliste rakkude baasil on võimalik luua arvutimälu.

PCM on printsiibilt küll lihtne, kuid praktikas ei ole selle rakendamine sugugi kerge. Peamiseks probleemiks on materjalile info kirjutamine. Selleks, et kirjutada kas ühte või nulli, tuleb kristalset materjali kuumutada ja maha jahutada, kas siis kristalsele- või klaasikujule. 1960. aastatel tuntud materjalide käitlemine nõudis sellisel puhul liiga suurt kuumust ja ebamõistlikult tugevat voolu.

Läbimurde tõid 1970. ja 1980. materjaliteaduse saavutused, kus avastati materjalid, mille aatomid olid omavahel seotud väga nõrkade sidemetega ja mida saab seetõttu kristalsest klaasilisse olekusse väga kiiresti üle viia.

Praeguseks on PCM-mälukiipide vastu huvi tekkinud, sest ränitehnoloogia ees on tehnoloogilised piirid. Flashi- ja teistes pooljuhtmäludes säilitatakse transistorites infot pisikeste elektrilaengute ehk pisikese elektronide kogumi kujul. Mida väiksemaks kiibid muutuvad, seda vähem elektrone sinna mahub ehk viidatud mälutüübid muutuvad ebastabiilseks. Kui transistori suuruseks on mõned kümned nanomeetrid, tuleb mängu tunneldamise (ingl tunneling) nime all tuntud kvantmehhaaniline fenomen. Tunneldamise tõttu elektronid lekivad transistoreist, mis omakorda põrmustab andmed. Kuna faasisiirdemälu ei toetu laengutele, saab selle baasil luua ränitehnoloogiast pisemaid seadmeid.

Faasisiirdemälu kiirus sõltub sellest, kui palju võtab aega kristallide kuumutamine ja jahutamine. Mida väiksemad kristallid on, seda kiiremini operatsioonid toimuvad. Hetkel on jõutud 20-nanomeetriste kristallideni, mis toimivad kiirusel 16 nanosekundit  — see on senisest tehnoloogiast palju kiirem.

PCM-kiipide pooldajate sõnul hõlvavad nood välkmäluseadmete turust peatselt märkimisväärse osa.Arvestades tehnoloogia kiiret arengut, on kristallmälu tähetund kõige rohkem mõne aasta taga.