Allianssi kuuluvad peale IBMi veel singapuri Chartered, AMD tütarfirma Globalfoundries, Saksa Infineon, Samsung ja Šveitsi ST Microelectronics. Konsortsium ühendab jõud, et luua vajalik protsessi tehnoloogia 28-nanomeetrise kõrge-k metallpaisudega (high-k/metal gate) räni tootmiseks, vahendab The Register.

Allianss ei kasuta siiski voolusäästlikku ja lekkeid vähendava protsessi tehnoloogia kohta väljendit „kõrge-k/metallpaisud". Seda terminit kasutab Intel, kes lõi esimesed sellised kiibid 2007. aastal. Allianss tahab, et asja nimetataks lühendiga „HKMG.

HKMG, mis asendab polüräni paisud ja räni dioksiidi paisu-dielektrikud ja mida kasutatakse alates 1960. aastatest, on protsessitehnoloogias pikk samm edasi.

Kui kiibid muutuvad väiksemaks, hakkavad transistorid ka rohkem paisu dielektrikutes voolu lekkima, mis omakorda viib ebaefektiivsuse ja kuumenemiseni. HKMG protsessi abil saab selliseid lekkeid vähendada viis korda ja rohkemgi.

HKMG tehnoloogia abil suudavad protsessid Moore seadusega sammu pidada ja tänu sellele kehtib seadus veel vähemalt mõned aastad.

Allianss alustab 28nm kiipide tootmisega 2010. aasta teises pooles.